半导体基本工艺流程通常包括以下步骤：
1. 选择基片
选择高品质的单晶硅基片或其它材料作为工作平台。
2. 清洗基片
使用真空洗涤器或其它清洗方法将基片表面的杂质和有机物质净化掉。
3. 生长氧化硅
将基片放入炉中，加高温度，让气体在其表面上化学反应，形成SiO2覆盖层，保护基片。
4. 暴露掩膜
在硅片表面上覆盖上一层光阻，并使用相应的光学设备，通过掩膜，将需要暴露的区域暴露出来。
5. 蚀刻
将已经暴露的区域进行蚀刻处理，使其暴露出来。
6. 沉积金属
在蚀刻之后，在暴露的区域上沉积金属材料，形成所需的电路线或电极。
7. 剥离光阻
使用剥光机，将金属沉积在光阻层上的区域的光阻去除。
8. 清洗与检查
使用化学方法或超声波清洗器清洗芯片，并进行质量检查。如果质量检查不合格，则回到步骤3。
9. 包装芯片
将芯片切割成单个晶片，并使用封装技术将晶片封装进芯片外壳中，使最终产品成型。
以上是一个简单的半导体基本工艺流程，实际的工艺流程可能更加复杂和细致，其中涉及的设备、技术和材料都需要经过精细的选择和操作，才能生产出高质量的半导体芯片和器件。