VD-MOSFET （Vertical Double-diffused MOSFET）是一种晶体管结构，相对于传统的MOSFET，VD-MOSFET的主要特点是更高的电压承受能力和更好的速度性能。VD-MOSFET的结构与MOSFET类似，不同之处在于它引入了一个垂直双扩散结构（VDMOS Structure），这种结构可以缩短漏极与基极之间的距离，在实现更高电压承受能力的同时，也提高了器件的速度性能。
VD-MOSFET的主要优点包括：
1.高速：VD-MOSFET的电子流动路径相比传统的MOSFET更短，使得它具有更高的速度和更低的电阻。
2.高电压承受能力：VD-MOSFET的垂直双扩散结构可以扩大漏极与基极之间的距离，从而提高器件的电压承受能力。在高压应用中，VD-MOSFET可以取代传统的MOSFET，成为更好的选择。
3.低漏电流：VD-MOSFET可以抑制PN结的漏电流，从而实现更高的电器效率。