VD-MOS（Vertical-Double-Diffused MOS）器件结构如下所示：
该结构为垂直晶体管结构，由N+型衬底、N-型外域、P型沟道区、N+型漏极和控制栅极组成。其中P型沟道区的两端被N+型漏极区包围，形成漏结（JL），控制栅极位于P型沟道区上方，与P型沟道区之间通过掺杂的绝缘层隔离。
在正向偏置下，电子通过N-型外域和P型沟道区集中注入N+型漏极，形成导通状态，类似于普通的MOS器件。而在反向偏置下，由于控制栅极和N+型漏极相对，形成反向电场，使得P型沟道区中的空穴受到排斥，从而形成截止状态。
由于VD-MOS器件具有垂直结构，可以实现高功率、高电压操作，具有较低的导通电阻和漏电流，被广泛应用于功率电子领域。