VDMOS和MOS是两种不同的场效应晶体管（FET）结构，它们的区别主要体现在以下几个方面：
1. 构造：VDMOS（Vertical Diffused MOS）是一种垂直扩散MOS结构，电荷扩散区垂直于晶片表面，且MOSFET的源极、漏极和栅极都在晶片的同一侧。而MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）是一种侧向扩散MOS结构，电荷扩散区平行于晶片表面，且MOS的源极和漏极分别在晶片的两侧，栅极在电荷扩散区上方。
2. 电压承受能力：VDMOS具有较高的电压承受能力，从而适合高电压开关应用。MOS一般适用于低功率应用。
3. 特性：VDMOS的漏极电流比MOS的漏极电流小得多。VDMOS的开关速度较慢，较难实现高频开关。但VDMOS的导通电阻较小，适合高电流应用。
综上所述，VDMOS和MOS虽然都属于FET结构，但从结构、电性能力等角度来看，它们还是有一些区别的。