VD-MOS（Vertical Double-diffused MOS）是一种MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)器件，它使用双扩散的方法制造。相对于传统的侧向扩散MOS（LDMOS），VD-MOS的电流密度更高，功耗更低，噪声更小，可靠性更高。因此，VD-MOS逐渐被应用于高功率、高频率的场合，如LED照明、音频功放等。